한양대학교 나노전자소자 및 재료연구실
Nano Electronic Devices & Materials Laboratory
본 연구실에서는 차세대 로직 소자, 메모리 소자, 뉴로모픽 소자 및 시스템, 3차원 집적 소자 분야에서 다양한 전자 재료, 반도체 공정 및 분석을 활용하여 연구를 수행하고 있습니다. 재료의 물리/화학적 특성을 이해하고 이를 바탕으로 반도체 소자를 제작하고 전기/광학/화학/물리적인 특성을 분석/해석합니다.
Our research activities consist of material, process, device and characterization for various advanced semiconductor devices in logic, memory, neuromorphic and monolithic 3D integration.
Our research activities consist of material, process, device and characterization for various advanced semiconductor devices in logic, memory, neuromorphic and monolithic 3D integration.
Recent News more
-
2024 ENGE 학회 참석2024-12-01 -
2024 한국재료학회 추계학술대회 참석2024-11-18
Gallery more
-
24년 8월 졸업생 감사패 수여2024-09-29 -
NEDML 단합 회식2024-09-10
Journal more
-
Chanseul Lee, Sunbum Kim, Gyulee Kim, and Changhwan Choi, "Heterogeneous Monolithic 3D Integration for Hybrid Vertical CMOS Inverter using N-type IGTO TFT on P-type Si FET", Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 185, pp. 108871, 2024
Conference more
-
Kyungsoo Park, Chulwon Chung, Boncheol Ku, Seunghyeon Yun, Junhyeok Park and Changhwan Choi, "Improved Memory Window and Endurance of FeFET using Laminated Thin Films and Fluorine Plasma Passivation for Analog Synaptic Characteristics", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Arcrea HIMEJI Hyogo, Japan, 2024.09
