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한양대학교 나노전자소자 및 재료연구실
Nano Electronic Devices & Materials Laboratory
본 연구실에서는 차세대 로직 소자, 메모리 소자, 뉴로모픽 소자 및 시스템, 3차원 집적 소자 분야에서 다양한 전자 재료, 반도체 공정 및 분석을 활용하여 연구를 수행하고 있습니다. 재료의 물리/화학적 특성을 이해하고 이를 바탕으로 반도체 소자를 제작하고 전기/광학/화학/물리적인 특성을 분석/해석합니다.

Our research activities consist of material, process, device and characterization for various advanced semiconductor devices in logic, memory, neuromorphic and monolithic 3D integration.

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  • Yu-Rim Jeon, Duho Kim, Boncheol Ku, Chulwon Chung, and Changhwan Choi*, "Synaptic Characteristics of Atomic Layer Deposited Ferroelectric Lanthanum Doped HfO2 (La:HfO2)and TaN-based Artificial Synapse", accepted to ACS Applied Materials & Interfaces, 2023

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  • Moonsuk Choi, Boncheol Ku, Yu-Rim Jeon, Chulwon Chung, and Changhwan Choi, "Atomic-Layer Deposited Tantalum-based Metal Gates (TaN,TaAlC, TaAlN, TaCoN) for Multiple Vth Modulation", Solid State Devices and Materials (SSDM), Chiba, Japan, 2022.09