한양대학교 나노전자소자 및 재료연구실
Nano Electronic Devices & Materials Laboratory
본 연구실에서는 차세대 로직 소자, 메모리 소자, 뉴로모픽 소자 및 시스템, 3차원 집적 소자 분야에서 다양한 전자 재료, 반도체 공정 및 분석을 활용하여 연구를 수행하고 있습니다. 재료의 물리/화학적 특성을 이해하고 이를 바탕으로 반도체 소자를 제작하고 전기/광학/화학/물리적인 특성을 분석/해석합니다.
Our research activities consist of material, process, device and characterization for various advanced semiconductor devices in logic, memory, neuromorphic and monolithic 3D integration.
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Hyunjin Lim, Young Seo Na, Yeh Been Im and Changhwan Choi, "Area-Selective Atomic Layer Deposition (AS-ALD) of Ru using Octadecyltrichlorosilane (ODTS) as a Surface Modifier", International Symposium on Semiconductor Devices and Materials (ISSDM), Inha University, Incheon, KOREA, 2024.12
